09/10/2021
No.0480 HFS/DFSによる水素、重水素の深さ方向組成分析
高速イオン照射による反跳を利用して、重水素の深さ方向定量分析が可能となった。RBS / HFSと同時測定可能であり、水素、重水素を含めた組成が評価できる。マイクロイオンビームを利用することで、微小部 (~100 μm×400 μm)での評価も可能である。
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図１ HFS / DFSの測定原理 |
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RBS / HFSは、水素を含めた確度の高い組成が得られる分析法である。MeVオーダーのHeイオンを試料に照射し、後方散乱He原子、前方散乱H原子を検出する。今回定量方法の検討を行い、水素に加えて重水素の深さ方向定量分析 (= DFS)も可能となった。
HFS / DFS : Hydrogen / Deuterium Forward scattering Spectrometry |
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重水素含有 SiN膜の深さ方向組成分析
RBS HFS / DFS
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| 図２ SiN膜のRBS / HFS / DFSスペクトル 図３ デプスプロファイル |
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| 表１ SiN膜の組成、面密度定量結果 |
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カテゴリー
IT機器, 半導体・実装
分類
有機ELディスプレイ, LSI・IC・メモリ, パワーデバイス・ディスクリートデバイス, 化合物半導体・オプトデバイス