このたび、当社 形態科学研究部の林将平が、2017年＜第78回＞応用物理学会秋季学術講演会で発表いたしました「4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における電流密度と積層欠陥拡張起点の関係（Ⅱ）」で講演奨励賞を受賞いたしました。
　講演奨励賞は、優秀な一般講演論文を発表した若手に与えられ、講演件数の1%しか受賞できない大変名誉ある賞です。2018年＜第65回＞応用物理学会春季学術講演会では表彰式が行われ、受賞記念講演を行いました。
　今後も分析技術の向上と研究に努力してまいります。