東レリサーチセンターは、経済産業省の委託事業*1として、IEC国際標準規格*2の普及を目的としたSiCエピ欠陥非破壊検査の受託分析を実施します。本事業の一環として、産業技術総合研究所様に設置の欠陥検査設備（レーザーテック社製SICA88）を利用して、SiCエピウェハ非破壊欠陥検査のパイロット試験を開始します。この機会に、IEC規格に準拠した欠陥検査をお試しください。

・パイロット試験実施期間は2020年10月1日から2021年3月31日までとなります。期間中、検査は無償にて実施いたします。
・エピ膜厚10～30umのSiCエピ基板が検査対象となります。
・IEC規格に準拠したSiCエピ欠陥検査用標準レシピを用いて欠陥種同定を行います。
・光学検査手法とフォトルミネッセンス法を併用した2ch解析により、高い欠陥認識精度を実現します。

東レリサーチセンターは、SiCパワーデバイスの製造・開発を支援します。まずはご相談ください。

*1省エネルギー等に関する国際標準の獲得・普及促進事業委託費（省エネルギー等国際標準共同研究開発・普及基盤構築：SiCエピ欠陥非破壊検査方法に関する国際標準化及び認証事業化検討による普及基盤構築）

*2 IEC Project Number：IEC 63068-1～3
Title：”Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices”
Part 1：Classification of defects
Part 2：Test method for defects using optical inspection
Part 3：Test method for defects using photoluminescence

【お問い合わせ先】
本内容に関するお問い合わせは、下記にお願い致します。
　　株式会社東レリサーチセンター　表面科学第2研究室　山田敬一
　　　　E-mail	：	Keiichi_Yamada[a]trc.toray.co.jp　*

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