当社で取り組んでまいりました「ラマン分光法を用いたSiC　MOSFETの応力の温度依存性評価」に
関する研究成果を報告し、一般社団法人　エレクトロニクス実装学会より表彰されました。

本研究成果により、これまで実施困難であったSiC素子の正確な応力温度依存性が評価可能になりました。実装パッケージ内における残留応力や動作時の応力変動等でお困りの場合は是非お問い合わせ下さい。

今後も皆様の研究開発のお手伝いをさせていただくため、分析・解析技術の向上に努めてまいります。