従来のPL（フォトルミネッセンス）による蛍光画像を用いた外観検査では観測できなかった

サブミクロンオーダーの微小欠陥を高速・高感度に観察することができるようになりました。

特徴

■	独自の光学系と検査アルゴリズムにより高速・高感度で結晶欠陥を検出・分類できます。
■	EPI工程での結晶欠陥検査だけでなく、パターン工程の外観検査まで一貫した検査に 適用可能です。
■	結晶欠陥の分光測定（オプション）もでき、再分類にも活用できます。

仕様

■	画素分解能：0.65 um～
■	対応ウェハサイズ：2～8インチ
■	ターゲット欠陥：基底面転位(BPD)、積層欠陥(SF)等の結晶欠陥、パターン外観不良等

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