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2018年8月1日
東レリサーチセンター
「European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)」への出展について
　→終了しました。当社ブースにお立ち寄りいただきありがとうございました。

　
　
9月2日（日）～9月6日（木）に英国バーミンガムで開催される、European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)に出展いたします。
ポスター発表3件、および　企業ブース展示をいたします。
是非当社ブースへお立ち寄り下さい。


期間2018年9月2日（日）～6日（木）
場所英国　バーミンガム
ブース展示No.A8


ポスター講演内容：
  1. Stress characterization of 4H-SiC epitaxial substrates by scanning near-field optical Raman microscope, with 250-nm spatial resolution
  2. Atomic coordination analysis of nitrogen introduced in SiO2/SiC interface and SiO2 layer by XAFS measurement
  3. Optimization of depth resolution on profiling of SiO2/SiC interface by dual-beam TOF-SIMS combined with etching
　
公式ページ
https://warwick.ac.uk/fac/sci/eng/ecscrm2018/