2019年8月29日
東レリサーチセンター
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019（ICSCRM 2019） への出展について
→終了しました。当社ブースにお立ち寄りいただきありがとうございました。
会期
2019年9月29日（日）～2019年10月4日（金）
内容
・口頭発表1件
・ポスター発表3件
・企業ブース展示：2019年9月30日（月）～10月4日（金）
会場
国立京都国際会館（京都）
ブースNo.
A1
◆
口頭発表：
2019年10月1日（火）15:15～15:30 Room A
J. Sameshima 他
Profiling with Depth Resolution of Sub-nm for SiO
2
/SiC Interface by Dualbeam TOF-SIMS Combined with Simulation
◆
ポスター発表：
１．
2019年10月1日（火）16:15～18:15 Annex Hall 1
S. Hayashi 他
Influence of basal-plane dislocation depth and core-structure on stacking fault expansion in forward-current degradation of 4H-SiC p-i-n diodes
２．
2019年10月1日（火）16:15～18:15 Annex Hall 1
A. Hashimoto 他
Structural Characterization of a Ga
2
O
3
Epitaxial Layer Grown on a Sapphire Substrate using Cross-sectional and Plan-view TEM/STEM analysis
３．
2019年10月3日（木）13:45～15:45 Annex Hall 1
H. Sako 他
Characterization of Prismatic Stacking Faults of Carrot Defects in 4H-SiC Epi Wafer
★東レリサーチセンターラボツアー：
期間中、東レリサーチセンターでは弊社の分析装置を見学できるラボツアーを開催いたします。
場所
東レリサーチセンター 滋賀県大津市園山3-3-7
JR京都駅から電車で15分+タクシーで5分の距離です。
開催日程
2019年9月30日（月）～10月4日（金）
※見学をご希望の方は、ご希望日時とご興味のある分析手法を下記までご連絡ください。
連絡先
Yoshiki_Nishiwaki@trc.toray.co.jp
（関西営業部 部員 西脇）
Haruka_Hidaka@trc.toray.co.jp
（東京営業第1部 部員 日高）
公式ページはこちら
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