03/08/2024
No.0689 AlGaN発光デバイスに発生した結晶欠陥のACOM-TEM局所歪解析
半導体デバイスの不良要因となる結晶欠陥は、結晶成長中だけでなく、デバイスプロセスや動作中においても局所的に大きな歪が生じた際に歪を緩和するために形成される。この局所歪の評価法としてACOM-TEMを適用した事例を紹介する。
【評価試料】 AlN基板上AlGaN系発光デバイス
レーザーダイオード断面TEM観察
ACOM-TEM法によるメサ端部断面の歪解析
※ ACOM-TEM：Automated Crystal Orientation and phase Mapping in TEM
プリセッション電子回折像を二次元で取得することで、各測定点における参照点との格子面間隔差、回転角などの情報を算出し歪マップとして表示できる。測定系(X, Y)に対して垂直歪、せん断歪の測定が可能。
当社では、半導体デバイスなどの微細な構造評価に加工ダメージを抑えた前処理技術と解析技術で対応します。
カテゴリー
自動車, 半導体・実装
分類
パワーデバイス・ディスクリートデバイス, 化合物半導体・オプトデバイス
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