08/31/2021
No.0470 水銀プローブによる絶縁膜中電荷量の評価
水銀プローブを用いて半導体デバイス用絶縁膜のC-V、I-V特性を調べることで、誘電率、絶縁膜中電荷、界面準位、絶縁破壊電圧を評価することが可能である。SiN膜の分析事例を紹介する。
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●水銀プローブの原理
測定部の模式図 | |
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通常、C-V特性を測定する際には、絶縁膜上に金属電極を作製
水銀プローブ法では、絶縁膜表面に水銀電極を接触させMOS構造を形成
・ ゲート電極の作製が不要なため、簡便にC-V、I-V曲線の取得が可能
・ ウエハ上の任意の箇所の評価が可能 |
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| ●C-V測定結果 ※試料：SiN膜(膜厚300nm)/Si基板 |
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| 掃引開始電圧を変化させて測定した標準C-V曲線 掃引停止電圧を変化させて測定した標準C-V曲線 |
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※標準C-V曲線：開始電圧(順バイアス)→停止電圧→光照射→開始電圧という手順で測定したもの |
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| ●I-V測定結果 |
| I-V曲線 J-E曲線 |
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カテゴリー
電池, IT機器, 半導体・実装, ライフサイエンス
分類
太陽電池, 液晶ディスプレイ, 有機ELディスプレイ, 電子・機能性材料, LSI・IC・メモリ, 有機トランジスタ, パワーデバイス・ディスクリートデバイス, 化合物半導体・オプトデバイス