12/12/2018
No.0364 NanoSIMSによる半導体デバイスの不純物分析
NanoSIMSは、SIMS(二次イオン質量分析)の中で最も空間分解能が高く、同時に高い感度、高い質量分解能を両立することが可能な装置である。研磨により断面出しを行ったSiトレンチ(トレンチ幅1μm)をNanoSIMSで分析した事例を紹介する。
NanoSIMSの装置構成、スペック
NanoSIMSによるSiトレンチ(トレンチ幅1μm)の不純物分析
トレンチ幅1μmという極微小領域においても高空間分解能、高質量分解能で元素分布の評価が可能である。
分析機能と原理
【表面分析】飛行時間型二次イオン質量分析法(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry:TOF-SIMS)
カテゴリー
半導体・実装
分類
LSI・IC・メモリ
CONTACT US
分析・調査事例 検索ページへ
お困りごとは何ですか? 分析・評価総合案内へ