02/19/2016
No.0298 TSV, MEMSデバイスの評価技術 (1) －応力・不純物・汚染評価－
LSIの微細化による高性能化が限界に近づくと、新しいデバイス開発の流れとして、「More than Moore」が注目されている。この概念はMEMSなど様々な機能とCMOSを融合して、新しい機能を創り出すというものである。本ポスターでは、 「More than Moore」を実現するために必要な三次元積層技術として注目されているTSV（Through Silicon Via)およびMEMS(Micro Electro Mechanical System)の評価技術について紹介する。
●TSVの評価技術
TSVにおける評価項目
SEMによる形状評価
埋め込み性、Cuのボイド、粒径の評価が可能
SIMSによるCu中の不純物評価
TSVのCu中におけるCl などの深さ方向不純物分布やバリア膜のCuバリヤ性について評価が可能である。
●市販加速度センサーの評価
静電容量型加速度センサー解体後の形状観察
MEMSデバイスは可動部を有していることが特徴であり、可動部を評価するためには、これを保護している封止膜を除去する必要がある。上記写真は市販加速度センサを解体し、センサ部を観察したものである。その形状から、静電容量型の加速度センサであることがわかる。
センサー部表面の付着物評価（正二次イオン像(TOF-SIMS))
MEMSでは可動部がくっついてしまうスティッキングの問題があり、可動部表面の化学状態を知ることは重要である。今回解体した加速度センサーのセンサ部表面ではPDMS（ポリジメチルシロキサン)が検出された。
カテゴリー
ライフサイエンス
分類
診断薬・検査機器・バイオセンサ