近年、電子デバイスは多層化・高密度化が進み、スタック型のSiP(System in Package)なども実用化されてきている。このようなパッケージは従来のパッケージと寸法(特に高さ)が変わらないことが重要であるため、Siチップの薄厚化が必要となってきている。Siチップの薄厚化が進展すると、パッケージの反りにより内蔵されるSiデバイスも変形し、応力を受けることが予想される。そこでRaman分光法により、SiP中のSiチップの応力評価を行った例を以下に示す。

4層中の上側2枚のSiチップで、応力評価を行った(上図)。中央部分では応力が非常に小さいのに対して、外周部では引張り応力が掛かっていることが判明した。
さらに、温度変化測定を行った結果(下図)、Siチップ(端部)には室温以下では、引っ張り応力が生じ、50℃付近を境に引張応力から圧縮応力に変化していることがわかる。また、チップ間で、応力の変動幅が異なることも判明した。