拡がり抵抗(SR)法を用いたIGBTコレクタ側のキャリア濃度評価

拡がり抵抗(SR)法は試料を斜め研磨し、研磨面に沿って2針で抵抗を測定する手法である。下図は、IGBT素子について、裏面(コレクタ側)のキャリア濃度を評価した例である。本素子では、裏面0.4μm付近がpn接合界面となる。

走査型キャパシタンス顕微鏡(SCM)法を用いたIGBTのキャリア分布評価

走査型キャパシタンス顕微鏡(SCM)法は、高空間分解能で素子中のキャリア濃度分布を観察できる有用な分析手法であり、当社で独自に考案したSCMによるキャリア濃度の推定方法を用いれば、微小部のキャリア濃度の分布やばらつきなどを数値的に評価することが可能である。下図に、IGBT断面のキャリア濃度の評価事例を示す。dC/dV像より、チャネル領域を構成する不純物拡散層の断面の2次元キャリア分布が明瞭に捉えられている。更に、右図のライングラフより、キャリア濃度の深さ方向プロファイルが得られ、キャリア濃度の勾配やp/n接合位置の僅かな違いが読み取れる。 

カテゴリー

半導体・実装

分類

パワーデバイス・ディスクリートデバイス