11/14/2016
No.0312 SiC MOSFETの熱特性解析
大電力を扱うパワーデバイスは、使用時の発熱による温度上昇が問題となる。過渡熱測定はパッケージ内部の熱特性を可視化する有効な手段であり、これにより得られる熱抵抗を用いれば、デバイスパッケージの放熱性や、放熱に影響を及ぼす欠陥の存在を調べることができる。
過渡熱測定による熱特性評価
過渡熱測定の結果より得られる熱抵抗vs熱容量のグラフを「構造関数」と呼ぶ。構成材料の熱伝導率・比熱容量や大きさ・厚さに依存した構造関数の変化から切り分けができる。
故障解析への応用
パッケージ内部に放熱へと影響を及ぼすような欠陥が存在する場合、過渡熱測定により該当部位の熱抵抗変化（増加）として捉えることができる。非破壊検査の一手段として良品・不良品の比較などから不具合箇所を推定する。
SiC MOSFET未使用品と熱衝撃試験実施品の比較
超音波映像(Scanning Acoustic Tomography)
パッケージの断面写真
（チップ付近)
分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
実装・パッケージング