ラマン分光法によるGaN HEMTの応力温度依存性評価

01/15/2020

No.0388 ラマン分光法によるGaN HEMTの応力温度依存性評価

当社では、ラマン分光法を用いて測定温度を変えながらの応力評価が可能であり、GaNデバイスに適用した事例を紹介する。GaN層では温度変化に伴い急峻な応力変化が観測され、その発生メカニズムを考察した。応力の実測定からデバイスの低応力化についての指針を得ることができる。

ラマン分光法によるGaNの応力評価

GaN膜の応力温度依存性

SiC基板の応力温度依存性

＜接合の影響でGaN膜に生じる熱応力＞

●チップ表面の応力も裏面実装の影響を大きく受けている可能性が示唆された。応力変化は、特性のばらつきや信頼性の低下につながる恐れがある。
●熱膨張係数(CTE)のマッチングに加えて、はんだ接合温度の低温度化は残留応力をより小さくできる可能性がある。

分析機能と原理

カテゴリー

自動車, 半導体・実装

分類

実装・パッケージング, パワーデバイス・ディスクリートデバイス, 化合物半導体・オプトデバイス