08/07/2020
No.0425 高感度質量イメージング（NanoSIMS 50L）によるSi中Pの断面プロファイル分析
NanoSIMS 50Lを用いて、Si基板中のドーパント分布について断面から高感度質量イメージング分析を行った。前処理および分析条件を工夫することで大幅にバックグラウンドを低減することができ、初めて、μmオーダーの微小領域に含まれる低濃度のP（1016 atoms/cm3 台）を高空間分解能で評価することに成功した。
高感度質量イメージング（NanoSIMS 50L）によるSi中Pの断面プロファイル分析
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| 一般的なDynamic SIMSでは対応が難しいμmオーダーの微小領域において 、バックグラウンドレベルを1015 atoms/cm3 オーダーまで低減し、 1016 atoms/cm3 台の低濃度のP濃度を検出することに成功した。 |
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NanoSIMS 50Lによる断面プロファイル分析の適用例
| 実デバイス断面のドーパント分布評価 | 凹凸の大きな試料の深さ方向分布評価 |
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分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
パワーデバイス・ディスクリートデバイス