事例①

トレンチ側壁の測定を想定し、ドライエッチング(CF4+O2)により作製したモデルパターン
(実際のトレンチに比べて、大きいサイズのモデル試料)のSIMS分析例を示す。

事例②

トレンチ側壁の測定を想定し、ドライエッチング(CF4+O2)により作製したモデルパターン(実際のトレンチに比べて多少サイズの大きいモデル試料)のDynamic SIMS分析例を示す。当社の独自技術を用いた極微小部領域の分析により、ドライエッチングガス成分であるF元素の濃度分布差を確認することができる。

カテゴリー

半導体・実装

分類

パワーデバイス・ディスクリートデバイス