09/24/2014
No.0036 トップコートレスレジスト撥水添加剤の偏析分析
1.精密斜め切削法/TOF-SIMSによる深さ方向の成分分析
撥水性：撥水剤無添加＜撥水剤A添加＜撥水剤B添加
 | 接触角(CA) | 後退接触角(RCA) |
撥水剤無添加 | 70° | 55° |
撥水剤A添加 | 70° | 60° |
撥水剤B添加 | 90° | 89° |
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 | 左図のレジストにフッ素系撥水剤を添加したTCレスレジストについて、精密斜め切削/TOF-SIMSにて各成分の深さ方向分析を行った。
撥水剤Bはレジスト表面への偏析性が非常に強いが、極性基を含む撥水剤Aでは偏析は見られるもののレジストとの相溶性も確認された。 |
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2. C60+イオンエッチング/XPSによる深さ方向の組成分析
C60+クラスターイオンは、表面への衝突時に分裂するため、各原子あたりのエネルギーが小さく、また、試料内部への入り込みが少ないことから、試料損傷を抑えることができる。
C60+イオンエッチングを用いたXPS分析により、Ar+イオンエッチングでは困難であった有機材料の深さ方向における組成・化学状態の詳細な評価が可能となった。
「下記は(株)ルネサステクノロジ様および旭硝子(株)様との共同研究の成果である。」
分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
リソグラフィ