09/25/2014
No.0065 太陽電池用シリコンの欠陥評価
シリコン系太陽電池モジュールについて、ESR(電子スピン共鳴)、CL(カソードルミネッセンス)を用いたシリコン中の欠陥の評価を行った事例を紹介します。
ESRによるモジュールSi中の欠陥評価
図1 市販の太陽電池の解体例
図2 太陽電池用多結晶および単結晶SiのESRスペクトル
ESR法では、Siの常磁性欠陥(不対電子をもつ欠陥)やドナーなどの不純物に関する情報が得られます。
CLによるモジュールSi中の欠陥評価
図3 カソードルミネッセンス(CL)
測定位置(①～③)
図4 ①～③でのCLスペクトル
多結晶Si層について、CL法で結晶欠陥の評価を行ったところ、転位に関係した発光線(D線)が確認されました。このようにCL法では、転移や点欠陥といった結晶欠陥の情報を得ることができます。
分析機能と原理
カテゴリー
電池
分類
太陽電池