07/29/2014
No.0008 先端LSIの断面観察
最先端半導体デバイスの開発は更なる高性能化、高集積化を追及し、新しい材料や構造の導入が進められている。ここではTEMやAEMを用いたデバイスの解析を紹介する。
断面TEM
微細なパターンを適切に観察するためには、試料作製において非常に高い位置精度が要求される。ここでは約70nmのActive領域を正確に試料作製し、高分解能観察まで行った結果、ゲート絶縁膜の厚さ情報を得ることが出来た。
EDX
EDXマッピング(AlとTiの重ね合わせ)とEDXライン分析結果
分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
LSI・IC・メモリ