09/22/2014
No.0012 レーザー気化導入ICP-MSによる材料中の局所分析
－LSIワイヤーボンディングの不純物測定－
概要
Fig. 1 LA-ICP-MSの装置構成
LA-ICP-MSの特徴
| 対象元素 | ： | Li ～ U (ハロゲン、ガス成分を除く) |
| 励起方法 | ： | レーザー光／ICP(誘導結合プラズマ) |
| 検出システム | ： | 四重極型質量分析計 (DRC*装備) |
| 照射径 | ： | 4 ～ 200 μm |
| 測定深さ | ： | ～ 数十 μm |
| 検出感度 | ： | 0.X ppm(シリコン中のFe、laser照射径:100μm測定) |
| 試料前処理 | ： | 必要に応じて断面出しを行う |
*DRC : Dynamic Reaction Cell
LSIのワイヤーボンディング部の不純物測定
Fig. 2 試料および測定部位
Fig. 3 Auボンディング部の不純物分析結果
本法により、Auボンディング部分の測定を行ったところ、主成分のAuと微量のAg, Sn, Sbが検出された。
LA-ICP-MSにより、材料中の金属の分布分析や特定部位の不純物の高感度測定が可能である。 本法は高分子材料、金属、LSIデバイスチップ、生体試料など、様々な試料への適用が可能である。
分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
LSI・IC・メモリ