LEISによる粉末上極薄膜の被覆率評価

02/17/2021

No.0457 LEISによる粉末上極薄膜の被覆率評価

LEISは表面第1層のみの元素情報が得られる、唯一の表面分析手法である。下地の影響を除いた、極薄膜の表面被覆率評価が可能となる。


LEIS : Low energy ion scattering
Cu粉末上SiO_x膜、及びCu ref.のLEISスペクトル
	● Cu粉末上SiO_x膜のLEIS分析　　　・ Cu粉末にSiO_xを2条件で被膜　　　・ Cu、Siの信号強度からSiO_x被覆率を評価　　　・酸素原子クリーニングにより表面汚染を除去　SiO_x被覆率の定量結果　　　・条件1：表面がほぼSiO_x膜によって被覆されている。　　　　　　　　　この被膜の厚みは4 nm以上と推定される。　　　・条件2：被覆率が低く、Cu露出面が多い。

SiO_x成膜条件と、最表層CuOの割合の比較

LEIS分析による被覆率評価の特徴
・表面第1層のみの情報：XPS、TOF-SIMSでは被覆が薄い場合、完全に被覆されている場合(条件1)でも、下地(Cu)の信号が検出される。　LEISでは条件１、2の違いが明確となる。・ビーム径 1 mm : 局所情報ではなく、粉末の平均情報が定量的に得られる。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　粉末上極薄膜の完全性が、定量的に評価できる

カテゴリー

自動車, 電池, 材料・素材

分類

リチウムイオン電池, 排ガス・排ガス触媒, 光触媒・触媒, 金属・無機材料, 電子・機能性材料, ナノ材料