09/10/2021
No.0481 LEISによる極薄膜形成初期の被覆率評価
ALD process evaluation
ALD製膜レート評価
LEIS : Low energy ion scattering
LEISは表面第1層のみの元素情報が得られる、唯一の表面分析手法です。
これまで不可能であった、ALD製膜初期の表面被覆率評価が可能となりました。
※本データはtascon GmbHより提供
WN
x
C
y
膜の各製膜サイクルにおけるLEISスペクトル
●
ALD-WN
x
C
y
膜のLEIS分析
-
Si基板上にWN
x
C
y
膜をALD製膜
-
各サイクル毎にLEIS測定を実施
-
サイクル数増 : W強度が上昇、Si強度が低下
→ この強度変化を表面被覆率に換算
ALD cycle
サイクル数とWN
x
C
y
、SiO
x
被覆率の関係
各サイクル数とアイランド形成の変化
●
被覆率評価
-
W、Siの表面被覆率を定量的に評価
-
40サイクル：WN
x
C
y
膜の被覆率は93 %
-
50サイクル：SiO
x
層がWN
x
C
y
膜により完全に被覆 → pin hole-freeのWN
x
C
y
膜が形成
ALDプロセス条件最適化の指標が得られます
カテゴリー
半導体・実装
分類
LSI・IC・メモリ, 有機トランジスタ, パワーデバイス・ディスクリートデバイス, 化合物半導体・オプトデバイス