SIMS（二次イオン質量分析）は、表面分析手法の中で高感度かつ深さ方向分布が容易に得られることから、半導体分野における不純物（特にドーパント）分析には欠かせない分析手法である。 当社では、ダイナミックSIMS装置としては7台目となる最新のセクター磁場型SIMS装置（セクター型SIMS）を導入した。ここでは、セクター型SIMSを用いたSi中のドーパント評価例を紹介する。