11/05/2021
No.0524 低加速カソードルミネッセンス(CL)法を用いた酸化ガリウム(β-Ga2O3)のイオン注入ダメージ評価
デバイス作製プロセスにおいて、イオン注入とその後の熱アニールは重要なプロセスであるが、生じたダメージを定量的に評価できる手法は限られているのが実情である。低加速CL法は高感度でダメージを評価でき、プロセス最適化やデバイス不良解析に最適である。
特徴 |
| 1. 表面分析 | 低加速にすることで表面数nmの測定が可能 |
| 2. ワイドバンドギャップ材料適用可 | フォトルミネッセンス(PL)では励起が困難なバンドギャップの大きな材料でも測定が可能 |
| 3. デバイス解析可 | AlGaN深紫外LED, GaN HEMT, SiC MOSFET, β-Ga2O3トランジスタ等 |
【 適用分野 】
1. イオン注入ダメージ、ドライエッチングダメージ評価
2. ゲート絶縁膜等の極薄膜評価
3. デバイス不良解析
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電子線加速電圧と侵入長 |
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断面CLを用いたβ-Ga2O3のイオン注入ダメージ評価1)
| β-Ga2O3ベアウェハにイオン注入と熱アニールを行い、低加速断面CL法にてイオン注入ダメージの生成、回復を調べた。 |
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【 実験条件 】
試料: Unintentionally-doped (-201) wafer
注入種: Si, エネルギー: 100 keV
ドーズ: 1E15 atoms/cm2
アニール温度: 800, 1000 °C |
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| SIMS depth profiles of Si CL spectrum of bare β-Ga2O3 wafer Cross-sectional total CL-intensity profiles |
 1) Appl. Phys. Exp. 13, 126502 (2020). |
カテゴリー
半導体・実装
分類
パワーデバイス・ディスクリートデバイス