10/01/2014
No.0136 硫化物試料の組成分析
ICP発光分光分析法(ICP-AES)は、高精度高確度な元素定量分析が可能な手法である。 試料溶液化の際に揮散しやすく、また、価数による感度差が認められるSについても、 溶液化方法を工夫することにより正確な定量分析が可能となる
CP発光分光分析法によるCdSバルク定量分析結果
試料を粉砕後、酸で溶解し、ICP発光分光分析法による測定を行い、試料組成を求めた。
Table1. バルク試料分析結果
 | 濃度分析値
(単位 : 質量%) | 原子数比換算値
(単位 : atom%) |
1回目 | 2回目 | 平均値 | 1回目 | 2回目 | 平均値 |
Cd | 77.1 | 77.2 | 77.1 | 50.1 | 50.0 | 50.0 |
S | 21.9 | 22.0 | 22.0 | 49.9 | 50.0 | 50.0 |
注)原子数比換算値は、濃度分析値から2元素の合計が100になるように換算した。
Fig.1 ICP発光分光分折装置概略図
・良好なマテリアルバランス
・再現性のよい分析結果 |  | 高精度高確度な分析が可能
(相対1%前後の誤差を見込む) |
薄膜試料の分析例(ICP発光分光分析法・RBS)
薄膜溶解後ICP発光分光分析法による測定を行い、試料組成を求めた。 同じ試料についてRBSでも分析を行い、結果を比較した。
Table2. 薄膜試料原子数比換算結果手法間比較 (単位: atom%)
試料 | | ICP発光分光分析法 | RBS |
CdS膜/Si基板 | Cd：S = | 50.5：49.5 | 50：50(±2) |
SnS膜/ガラス基板 | Sn：S = | 53.1：46.9 | 53.4：46.6 |
ICP発光分光分析法とRBSの分析結果は
非常によく一致する |
ICP発光分光分析法：数cm2程度の面積の分析が可能 元素分解能がよい
RBS：膜の組成分析に加え、深さ方向分析も可能 O,N等の成分も分析可能 |
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分析目的に応じ相補的使い分けを提案 |
 | 高エネルギーイオン(He+)
を試料に照射 |
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弾性散乱によりHe+が散乱 |
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He+のエネルギー、収量を測定 |
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| Fig.2 RBS(ラザフォード後方散乱分光法) 原理・特徴 | ・主成分深さ方向組成分析
・標準試料不要で定量可能 |
分析機能と原理
カテゴリー
材料・素材
分類
金属・無機材料