11/18/2021
No.0536 TXRF(全反射蛍光Ｘ線分析）の応用例
SiCエピウェハ(3-inchφ）Si面の汚染分析
| 半導体ウェハに悪影響を与える金属汚染元素をTXRF分析により検出した。製造工程（洗浄など）において表面に付着した金属汚染の分析に有効であり、非破壊での測定が可能である。 |
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| W線源のスペクトル Ag線源のスペクトル |
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W線源で測定したスペクトルからFe, Cl, Sを検出した。
Ag線源で測定したスペクトルからは、Br (1.6E10 atoms/cm2)を検出した。 |
（単位：E10 atoms/cm2） |
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Sweeping-TXRFの分析例 -ウェハ表面汚染の全面マッピング-
Sweeping-TXRFとは
・ウェハ全面を高速で分析し、詳細なマッピングデータから汚染位置と元素を分析することが可能
・比較的高濃度（≧E11 atoms/cm2）の汚染をターゲットとする
・プロセス汚染のルーチンモニタリング、トラブルシューティング、製造装置/検査装置立上げ時の汚染チェック等に有用 |
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試料 ：6インチ Siウェハ Cuを強制汚染させたウェハ
Cu濃度：1-6E12 atoms/cm2)
Wafer #1 全面汚染
Wafer #2 スポット汚染
黄色のスポット：Cuで強制汚染させた場所
＊ スポット径:10 ㎜φ | 
Wafer #1 全面汚染
Wafer #2 スポット汚染 |
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| マッピングの結果から汚染状況の違いも確認され、また 2E10 atoms/cm2 の検出下限でCuを検出することができた。 |
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カテゴリー
自動車, IT機器, 材料・素材, 半導体・実装
分類
電子・機能性材料, LSI・IC・メモリ, パワーデバイス・ディスクリートデバイス, 化合物半導体・オプトデバイス, MEMS・センサ・TSV, イオン注入