01/19/2015
No.0235 デプス専用TOF-SIMSによるSi半導体の微小領域における高感度分析
TOF-SIMS
装置の半導体専用化、改造、および測定条件の最適化により、ダイナミック
SIMS
では困難な微小領域において、
ppm
オーダーの高感度分析が可能となった。
TOF-SIMSによる微小領域（約15μm□）のCZ-Si中O, Hの分析事例
TOF-SIMSによる微小領域（約5μm幅）のSi中As, Pの分析事例
分析機能と原理
【表面分析】飛行時間型二次イオン質量分析法(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry:TOF-SIMS)
カテゴリー
半導体・実装
分類
LSI・IC・メモリ
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