09/22/2014
No.0024 SiC内に存在する結晶欠陥評価
FIB-TEM法にArミリング加工を加えることで表面欠陥の特定部位等を位置精度良くサンプリングし、高分解能観察を行うことができる。
SiC中に存在する貫通転位の高分解能観察例を以下に示す。
AlGaN/SiC界面近傍の組成分布評価
膜内の組成分布などを評価するには、EDX-Mapが有効な手段である。
TEM観察では確認できないAl成分の偏析などを鮮明に捉える事ができる。
分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
化合物半導体・オプトデバイス