09/22/2014
No.0022 化合物半導体のSIMSの分析
AlGaN膜中不純物の高感度・高精度分析、Al組成分析
当社では大気成分元素専用装置を保有しており、H、C、O等についてバックグラウンドの低い分析が可能である。
Al組成により不純物の検出感度が異なるが、感度補正により(Al組成の異なる)AlxGa1-xN層中の正確な濃度を得ることができる。
一般的にSIMSでは主成分レベルで含まれる元素の定量性は劣るとされるが、分析プロトコルの改良により、AlGaN中のAl組成比を求めることができる。
GaN中軽元素の検出下限（デプスモード）
元素 | 検出下限
(atoms/cc) |
H | 1～2E17 |
C | E15 |
O | 1～2E16 |
Si | E15 |
Mg | *E14～E15 |
*Mgは測定条件により検出下限が異なる
In(AlxGa1-xN)P膜中ドーパントの高精度分析、Al組成分析
・ | In(AlxGa1-xN)Pの各Al組成に対応した感度で、深さ毎に正確なZn濃度を得ることができる。 |
・ | In(AlxGa1-x)P中のAl組成比を求めることができる。高精度分析を行うことで、非常に小さな組成の差異(同一試料なら、Al組成比0.69と0.70の差異)を区別することが可能である。 |
ドーパントの感度補正・組成分析が可能な材料
・ | In(AlxGa1-x)P |
・ | AlxGa1-xAs |
・ | In(AlxGa1-x)As |
・ | AlxGa1-xN |
分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
化合物半導体・オプトデバイス