09/22/2014
No.0020 SIMSによるSiO2/SiC界面のN評価
近年、SiC基板の高品質化が進み、パワーデバイス用途としてMOSFETへの実用化が目前となっている。ここでは、様々なSiC-MOSFETデバイスに採用されようとしているSiO2 / SiC界面のN評価について、SIMSで分析した事例を紹介する。
SiO2 / SiC界面のN評価
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・ | マトリクス効果(感度変化)が大きい
(この条件では、NとドーパントであるAlの同時分析が可能) | ・ | 両層の感度差は小さい |
・ | 界面でやや感度変化あり
(この条件ではNとAlの同時分析は困難) |
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SiC-MOSFETではSiO2/SiC界面準位密度を低減する目的で、窒化処理を加えることが多い。ここでは、SiO2/SiC界面のN分布を詳細に評価することを目的とし、同界面にNを注入した試料におけるSIMS検討分析事例を示す。
分析条件#2では、#1に比べて感度差を抑えた分析が可能である。
分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
パワーデバイス・ディスクリートデバイス