IGBT裏面コレクタ部の観察
IGBT裏面において、SiがAl電極に拡散し、アロイスパイクと呼ばれる構造が形成される場合がある。pn接合を横切る位置までアロイスパイクが進行すると、素子特性が低下する懸念がある。IGBTを開封し、下記SEM写真は、裏面電極を除去した後に平面および断面から観察した例である。アロイスパイクが多数観測されている。アロイスパイクは、四角錐形状をしていることがわかる。
TEM法によるトレンチゲート形状、酸化膜厚評価
ディスクリート素子はサイズが比較的大きいため、SEMを用いた形状観察がよく用いられるが、TEM法を用いると、トレンチゲート形状や酸化膜の膜厚等をより詳細に調べることができる。
分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
パワーデバイス・ディスクリートデバイス