close

09/22/2014

No.0016 形状観察

IGBT裏面コレクタ部の観察

IGBT裏面において、SiがAl電極に拡散し、アロイスパイクと呼ばれる構造が形成される場合がある。pn接合を横切る位置までアロイスパイクが進行すると、素子特性が低下する懸念がある。IGBTを開封し、下記SEM写真は、裏面電極を除去した後に平面および断面から観察した例である。アロイスパイクが多数観測されている。アロイスパイクは、四角錐形状をしていることがわかる。

IGBT裏面コレクタ部の観察

TEM法によるトレンチゲート形状、酸化膜厚評価

ディスクリート素子はサイズが比較的大きいため、SEMを用いた形状観察がよく用いられるが、TEM法を用いると、トレンチゲート形状や酸化膜の膜厚等をより詳細に調べることができる。

TEM法によるトレンチゲート形状、酸化膜厚評価

分析機能と原理


カテゴリー

半導体・実装

分類

パワーデバイス・ディスクリートデバイス