08/31/2021
No.0472 イオン散乱を用いたSiN膜の深さ方向組成分析
RBS関連手法により、極薄膜から厚膜まで幅広い範囲で深さ方向組成分析が可能である。組成定量値の確度が高く、水素も含めて評価が可能という特徴がある。ここでは極薄SiN膜の深さ方向分析、及びNRAを併用したC含有SiN膜の組成、密度の評価事例を示す。
極薄SiN膜 : HR-RBS / HR-HFS
高分解能RBS / HFS (HR-RBS / HR-HFS)により、1 nm前後の深さ分解能で、確度の高い深さ分布が得られる。
試料 ： SiN (8 nm) / Si-sub.
HR-RBS HR-HFS
極薄SiN膜のHR-RBS / HR-HFSスペクトル デプスプロファイル
C含有SiN膜 : RBS / HFS / NRA
RBSで検出下限程度の低濃度軽元素については、NRA併用が有効である。定量精度、検出下限を大幅に向上することができる。
試料 ： SiN (94 nm) / Si-sub.
RBS HFS NRA
C含有SiN膜のRBS / HFS / NRA スペクトル
デプスプロファイル
カテゴリー
自動車, IT機器, 半導体・実装
分類
有機ELディスプレイ, LSI・IC・メモリ, パワーデバイス・ディスクリートデバイス, 化合物半導体・オプトデバイス
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