04/16/2022
No.0599 in-situ biasing KPFMによる電位障壁領域の観察
KPFMは、探針-試料間の仕事関数差によって生じる接触電位差を測定する。外部電圧を印加しながら観察できるため、in-situ測定、対象によってoperando計測が可能である。ここでは、金属細線(thin wire)間の電位障壁領域(電圧降下部位)を評価した事例を紹介する。
| KPFM: Kelvin Probe Force Microscope…ケルビンプローブフォース顕微鏡 |
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| in-situ biasing KPFM/AFMの測定模式図 | 観察試料のレイアウト |
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光学顕微鏡像 AFM image
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金属細線・パッド接続部は、レジストの残差や蒸着時の酸化層が起因して抵抗になりやすい。
配線に電圧・電流を印加しながら観察することで、短絡状態では手に入らない情報が得られる。 |
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TEG A
TEG B
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| KPFMの電位検出部に、外部印加する電場が影響しない工夫を施すことで可能となった独自測定分析技術! |
カテゴリー
自動車, 電池, IT機器, 材料・素材, 半導体・実装, ライフサイエンス , 調査
分類
キャパシタ, リチウムイオン電池, 液晶ディスプレイ, 有機ELディスプレイ, プリンター・複写機, 金属・無機材料, 電子・機能性材料, 複合材料, LSI・IC・メモリ, 有機トランジスタ, 実装・パッケージング, パワーデバイス・ディスクリートデバイス, 化合物半導体・オプトデバイス, MEMS・センサ・TSV, 医療機器・医療材料, 無機材料, 機能性材料, バイオ, 低炭素化社会実現技術, センサ・計測技術