09/22/2014
No.0025 AlGaNエピ膜の導電性の分布
走査型拡がり抵抗顕微鏡法(SSRM)は、試料の導電性の分布を観察できる手法である。また、SCM法と相補的に用い、半導体のキャリア濃度も半定量的に評価できる。
Al組成を変えたAlGaNエピ膜を調べると、図b)に示されるように、Al混晶比率が25%を越えると導電性の起伏(二乗平均平方根RMSで表される)が大きくなり、ナノパイプの増加と導電性の不均一性に相関関係がある事が分かる。
AlGaN/GaN構造の断面におけるdC/dV信号分布
走査型キャパシタンス顕微鏡（SCM）により、AlGaN/GaNヘテロ界面付近で電子密度に由来するdC/dV信号の増大が観察された。
これは、エピ構造の位置関係から、界面の二次元電子層に対応していることがわかった。
カテゴリー
半導体・実装
分類
化合物半導体・オプトデバイス