09/22/2014
No.0023 分光学的手法を用いたSiCの欠陥・応力分析
PLイメージング法による欠陥分析
・紫外光励起で発生するPL光を2次元検出器で画像化することにより、正常部とは発光強度が異なる欠陥部位を可視化することができる。PLイメージング法では、X線トポグラフでは検出が難しい点欠陥やキャリア濃度に由来する発光強度変化も観測することができる。
ラマン分光法による応力評価(温度変化測定)
顕微ラマン分光法では、素子に生じる応力を定量することができる。素子エッジ部やAlワイヤ直下では応力の温度変化が顕著であることが分かる。
分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
化合物半導体・オプトデバイス