07/29/2014
No.0009 SCM、TOF-SIMSによる拡散層の評価
走査型キャパシタンス顕微鏡(Scanning Capacitance Microscope：SCM)は、半導体のキャリア分布を高い空間分解能で観察できる手法であり、飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) は、約200nmの空間分解能で不純物の評価が可能である。
ここでは、市販のワンチップマイコンを用いて、SRAM部のチャネル構造及び拡散層(コンタクト層)をSCM及びTOF-SIMSにて評価した例を紹介する。
TOF-SIMSによるデプスプロファイル (イメージ像のn
+層領域を積算)
TOF-SIMSによる二次イオンイメージ
・ゲート配線下のチャネル部には、LDD構造が採用されている。
・n+コンタクト層のドーパントはAsであり、深さ約100nmまで拡散している。
・p+層にはCの混入が認められる。
分析機能と原理
カテゴリー
半導体・実装
分類
LSI・IC・メモリ